教授

孫　勇

そんゆう

: 工学研究院; 物質工学研究系
: 1959
生まれ
1995
工学博士
九州工業大学大学院
1985
西安交通工学大学院
電子工学科半導体物理専攻
修士課程修了

水素プラズマとSi結晶との相互作用でSi超微粒子が形成される研究をきっかけに、Si基板上でのSiC単結晶の低温成長を従事してきた。そのうち、フラーレンなどのナノ炭素材料の研究に興味を持ち始め、フラーレンやその内包材料の電気輸送特性、カーボンナノチューブでの金属ー非金属転移、グラフェンとLiNbO3界面での摩擦現象、及びナノ炭素材料の負性容量特性の研究などへ続けてきた。また、圧電物性に着目し、核磁気共鳴（NMR）測定の電磁ノイズの軽減による掌サイズのNMR装置を開発するところである。

ナノ材料などの電極が付けられないものの電気特性評価

● 研究テーマ

❖ 低次元電子材料の電気的特性評価
❖ 表面超伝導特性の評価
❖ 半導体結晶膜の低温作製
❖ ナノ材料の音波物性測定
❖ 負性容量材料の開発
❖ コンパクト核磁気共鳴測定装置の開発

● 分野

電子・電気材料工学、計測工学、マイクロ・ナノデバイス

● キーワード

低次元材料、電気物性、非接触測定、水素プラズマスパッタリング、ナノ材料およびデバイス

● 実施中の研究概要

電子材料のナノ化およびエネルギー量子化に対応するため、電気特性評価の非接触化および測定電界の高密度化が要求されます。本研究では、密度が1Jm¯³を超える電界銃を初めて提案し、飛ぶ電界を用いた評価装置を開発しました。本測定法は、低次元新規機能性材料の創成、量子コンピューティングに期待されるSi結晶中の不純物電子状態の制御と評価、DNAなどの生体ナノ材料の評価、および極表面超伝導転移温度の測定などに新しい手段を提供します。

● 今後進めたい研究

① 半導体材料の低温成長
② 表面超伝導現象の解明
③ ナノ材料の音波物性
④ 負性容量材料の開発
⑤ フラーレン材料の輸送特性

● 特徴ある実験機器、設備

①弾性表面波を用いた非接触電気特性測定装置
②振動リード法内部摩擦測定装置
③低温超高真空直流計測装置
④インピーダンス測定装置　など

● 知的財産権（技術シーズ）

『超伝導体並びに超伝導体表面抵抗率の非接触測定方法及びその測定装置』
　特願 2008-232617 （PCT国際出願）孫勇
『半導体の電気伝導特性の非接触測定方法及びその装置』
　特願 2009-134286 孫勇
『電極の評価方法』
　特願 2014-174392境野真道、孫勇

● 過去の共同研究、受託研究、産業界への技術移転などの実績

【共同研究】
▶『リチウムイオン電池電極の音波特性』（2012）
▶『CNT被覆銅ナノワイヤー（CuNW@CNT）の電気的特性評価』（2008）
▶『弾性表面波の外部電磁場による金属内包フラーレン La＠C₈₂の誘導損失評価』（2004）
▶『フラーレンC₆₀ナノ分子の回転速度測定法の研究開発』（2004）
▶『 SiGeC薄膜の水素プラズマ低温作製に関する研究』（1999）
▶『シリコン基板上SiC薄膜の低温成長に関する研究』（1995）

【受託研究】
▶『静電誘導法を用いた超伝導体のナノ深さ表面抵抗測定装置』（2009）
▶『ナノ材料電気特性非接触評価装置の商品化開発』（2006）
▶『フラーレンC₆₀ナノ分子の回転速度測定法の研究開発』（2002）